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[2019初试真题回忆] 2019年哈尔滨工业大学半导体物理专业真题回忆

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发表于 2019-1-3 11:57 来自手机 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
考完了感觉今年题还算简单,大部分都是往年真题的改写,只有第三题费米能级那个题少见一些,不过如果理解了基本原理,还是可以做出来的,估计今年都是高分了,还是要看其他科考的怎么样,我自己是政治英语完美发挥,数学炸了,题都没做完,估计悬了。给明年考的大概说下吧~
专业课考试一般为五道大题

第一题名词解释,建议使用《名词解释总结》理解并背熟其中内容。

第二题一般为二到四章内容,会在杂质、费米能级、迁移率、电导率等内容中出,一般不会两年连续出同样的,第二章杂质会结合第五章的陷阱和复合进行考查。

第三题 PN结 正反偏压下能带、电流、载流子分布图,空间电荷区形成过程等相关知识,每年必考,必须熟练掌握。

第四题 C-V曲线 曲线图、各个阶段变化、各种平带电压的影响因素等相关知识,每年必考,必须熟练掌握。

第五题 考查第五章内容,靠爱因斯坦公式推导或者是连续性方程计算题,爱因斯坦公式推导比较简单,理解记忆即可,连续性方程需掌握各种情况下的解题方法,也不难,已经连续两年在课后习题中出题了,所以把课后习题弄明白是很重要的。

总体来看这两年更加注重基础和理解,避免考太复杂的概念和推导,一些以前仅考过一两次的题适当理解就可以了。
来源: 哈工大半导体物理19考试感想

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